OFC：通快推出高速率VCSEL和Photodiode产品

　　在本周举行的美国光通讯展(OFC 2025)上，通快推出了最新112Gbps PAM4 InGaAs Photodiode 和 56Gbps VCSEL，新产品使数据中心的数据传输更加高效 ，并且进一步完善了通快在数据通讯领域的产品组合。
 

　　112Gbps PAM4 Photodiode
 

　　此次展出的112Gbps PAM4 InGaAs Photodiode的波长范围从 842 nm 至 948 nm，有效面积直径为 32µm。此外，它具有低偏置电压和低暗电流，可增强112Gbps应用的性能。目前，产品样品可供客户进行评估。
 

通快112Gbps PAM4 Photodiode
 阵列：1x1，1x2, 1x4, 1x8 和 1x12
 

　　56Gbps VCSEL
 

　　通快还推出了可在高温环境下工作的850 nm 56Gbps VCSEL，该产品在 0°C 至 105°C 的更宽温度范围内能提供稳固、线性特性。此外，凭借通快在业界领先的窄光谱宽度，该VCSEL能够实现400米以上的传输距离，从而为数据中心的创新应用提供了可能性。
 

通快 56G VCSEL阵列
 1x1，1x2, 1x4, 1x8 和 1x12
 

　　新产品技术优势
 

　　“我们在GaAs技术方面拥有悠久的历史和核心技术优势，借此开发出了性能出色的112Gbps Photodiode。随着这款产品的发布以及今年夏天即将推出的 112Gbps VCSEL，我们将拥有完整的112Gbps 解决方案组合，以满足当下及未来的需求，”通快光电器件部市场营销副总裁Ralph Gudde表示。“在提升数据速率的同时，我们还不断扩充产品系列。新推出的56Gbps VCSEL可在高温下进行工作，提供了额外的设计裕度，并能实现更长的传输距离，从而可在数据中心内实现创新应用，”他补充道。
 

　　通快持续大力投资其技术以实现更高的数据传输速率，并提供VCSEL和Photodiode作为匹配对解决方案，其布局形式多样，包括1x1、1x2、1x4、1x8 和 1x12 阵列。这些器件能够实现高速稳定且可靠的数据传输，专门为满足数据中心的需求而设计，包括AI/ML、高性能计算以及其他带宽密集型应用。